Авторы |
Елизавета Анатольевна Рыблова, аспирант, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: Elizaveta.ryblova@mail.ru
Вадим Сергеевич Волков, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры приборостроения, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: vadimv_1978@mail.ru
|
Аннотация |
Актуальность и цели. Целью исследования является разработка полупроводникового чувствительного элемента для датчика давления на основе тензорезистивного эффекта в виде профилированной мембраны с повышенной чувствительностью и сниженной погрешностью линейности выходного сигнала. Материалы и методы. Проведено имитационное моделирование чувствительного элемента в виде профилированной мембраны в программном пакете COMSOL Multyphisics для определения геометрических параметров сечения кремниевой мембраны, обеспечивающих оптимальное соотношение чувствительности и погрешности линейности выходного сигнала. Результаты. Создана имитационная модель полупроводникового чувствительного элемента датчика давления, позволяющая повысить чувствительность и снизить погрешность линейности выходного сигнала. Выводы. Таким образом, на основе проведенного моделирования были определены оптимальные геометрические параметры сечения профилированной мембраны полупроводникового тензопреобразователя давления мембранного типа.
|