ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ 

Екатерина Анатольевна Печерская, доктор технических наук, профессор, заведующий кафедры информационно-измерительной техники и метрологии, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: iit@pnzgu.ru
Олег Валентинович Карпанин, заведующий службой калибровки и ремонта, кафедра информационно-измерительной техники и метрологии, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: karpanino@mail.ru
Диана Евгеньевна Нелюцкова, студентка, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: diana.tuzova.02@bk.ru
Михаил Александрович Нелюцков, магистрант, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: nelyuckovmihail@mail.ru
Владимир Сергеевич Александров, магистрант, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: vsalexrus@gmail.com
Ангелина Евгеньевна Журина, инженер-исследователь кафедры информационно-измерительной техники и метрологии, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: gelya.zhurina@mail.ru 

Актуальность и цели. Объект исследования – автоматизированная измерительная система, предназначенная для измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур и приборов. Предметом исследования являются вольт-амперные характеристики полупроводниковых структур и приборов. Цель работы – исследование вольт-амперных характеристик полупроводников на примере кремниевого транзистора КТ306А с помощью автоматизированной измерительной системы. Материалы и методы. Рассмотрена структура автоматизированной измерительной системы для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур и приборов. Апробированы принципы работы следующих методов измерения полупроводниковых характеристик: вольтметра-амперметра, емкостного делителя, мостового и резонансного. Результаты. Выполнено исследование вольт-амперной характеристики кремниевого транзистора КТ306А с помощью автоматизированной измерительной системы. Показана возможность использования предложенного средства измерений для исследования вольт-амперных харакетристик МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник) при использовании в качестве прозрачного проводящего оксида слоя диоксида олова, легированного сурьмой. Выводы. Рассмотрена структура автоматизированной измерительной системы для исследования вольт-амперных характеристик полупроводников. Представлены результаты апробации указанной системы при измерениях электрофизических параметров полупроводникового транзистора КТ306А, а также полученной авторами новой МДП-структуры на основе легированного сурьмой диоксида олова, синтезированного методом спрей-пиролиза. 

Ключевые слова

автоматизированная измерительная система, полупроводниковые структуры и приборы, вольт-амперная характеристика, методы измерений электрофизические параметры полупроводников 

 Скачать статью в формате PDF

Для цитирования:

Печерская Е. А., Карпанин О. В., Нелюцкова Д. Е., Нелюцков М. А., Александров В. С., Журина А. Е. Исследование вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур и приборов // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2024. № 3. С. 32–40. doi: 10.21685/2307-5538-2024-3-4