ИЗМЕРЕНИЕ ЗАРЯДОВОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ МДП-СТРУКТУРЫ 

Дмитрий Александрович Ташлинцев, инженер кафедры радиотехники и радиоэлектронных систем, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: radiolokaci@yandex.ru
Виктор Михайлович Чайковский, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры радиотехники и радиоэлектронных систем, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: rtech@pnzgu.ru 

Актуальность и цели. Информативность комплекса для измерения параметров МДП-структуры может быть повышена за счет использования в его конфигурации генератора линейного изменяющегося напряжения (ГЛИН), реализованного на базе микроконтроллера. Материалы и методы. Используется метод «малого» сигнала, предназначенного для анализа нелинейных электрических систем, представляющих собой полупроводниковые структуры, и используемого для моделирования передаточной функции и описания отклика таких систем при «малых» значениях амплитуды измерительного сигнала, подаваемого на вход системы, позволяет оценить отклик системы с полупроводниковой структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и зафиксировать ее C–V-характеристики. Результаты. Добавление в состав ГЛИН микроконтроллера дает возможность реализовать универсальный исследовательский комплекс, более тщательно оценивающий характеристики МДП-структуры, с различными по толщине слоями диэлектрика, как с тонким, так и со значительно увеличенным. Выводы. Включение в состав ГЛИН микроконтроллера, выполняющего одновременно операции: запоминания, хранения и вычисления, обеспечивает оценку значения зарядовой нестабильности МДП-структуры, что наряду со значительным расширением объема получаемой информации также позволяет оценивать реакцию МДП-структуры, находящейся в различных энергетических состояниях, на внешнее воздействие «малым» сигналом. 

Ключевые слова

энергетические состояния, гистерезис, поляризационные свойства, МДП-структуры, микроконтроллер, вольт-фарадная зависимость, диэлектрический слой 

 Скачать статью в формате PDF

Для цитирования:

Ташлинцев Д. А., Чайковский В. М. Измерение зарядовой нестабильности МДП-структуры // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. 2024. № 3. С. 17–24. doi: 10.21685/2307-5538-2024-3-2