Авторы |
Екатерина Анатольевна Печерская, доктор технических наук, доцент, заведующий кафедрой информационно-измерительной техники и метрологии, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: pea1@list.ru
Сергей Александрович Гурин, начальник лаборатории разработки и производства плат НР и ГИС (НПК-1), Пензенский научно-исследовательский институт электронно-механических приборов, (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44), E-mail: teslananoel@rambler.ru
Максим Дмитриевич Новичков, инженер-технолог лаборатории разработки и производства плат НР и ГИС (НПК-1), Пензенский научно-исследовательский институт электронно-механических приборов, (Россия, г. Пенза, ул. Каракозова, 44), E-mail: novichkov1998maks@gmail.com
|
Аннотация |
Актуальность и цели. Актуальность темы исследования обусловлена развитием радиоэлектронной аппаратуры, требующей повышения уровня электрических параметров электронно-компонентной базы. Целью работы является исследование и поиск оптимальных режимов высокотемпературного отжига многослойных тонкопленочных резистивных структур. Материалы и методы. Многослойные тонкопленочные резисторы получены методом термического вакуумного напыления нихрома Х20Н75Ю и кермета К-20С на установке УВН-71. Результаты. Представлены результаты исследования процессов, происходящих в структуре и на границе раздела пленок в многослойных тонкопленочных резисторах в результате воздействия высоких температур в вакууме и на воздухе, их влияние на необратимое изменение сопротивления и температурный коэффициент сопротивления. Выводы. Получены технологические режимы высокотемпературного отжига, расширяющие подгоночный ресурс многослойных тонкопленочных резисторов до 20 %, при нестабильности сопротивления не превышающей 0,4 %.
|
Ключевые слова
|
тонкопленочный резистор, высокотемпературный отжиг, термостабилизация, сопротивление, температурный коэффициент сопротивления
|