| Название статьи |
РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО МДП-ФОТОТРАНЗИСТОРА (СЕНСОРНОГО ЭЛЕМЕНТА) ИНФРАКРАСНОГО ДАТЧИКА
|
| Авторы |
Александр Сергеевич Китаев, магистрант, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: ar7style436@gmail.com
Алексей Николаевич Головяшкин, кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет (Россия, г. Пенза, ул. Красная, 40), E-mail: angpenza@gmail.com
|
| Индекс УДК |
621.382
|
|
DOI
|
10.21685/2307-5538-2021-1-3
|
| Аннотация |
Актуальность и цели. В настоящее время для МДП-фототранзисторов отсутствует подробная методика расчета и проектирования за исключением подробного описания структуры и принципа действия. Данные приборы имеют большой потенциальный рынок сбыта как в гражданских, так и военных сферах. Целью работы является разработка методики проектирования сенсорного элемента инфракрасного датчика на базе полевого МДП-фототранзистора.
Материалы и методы. Объектом исследования выступает МДП-фототранзистор. Предметом исследования является методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль инфракрасного датчика.
Результаты. Рассмотрены преимущества и недостатки МДП-фототранзистора в качестве фотоприемника. В рамках работы создана математическая модель оценки оптических свойств МДП-фототранзистора. Выведена прямая функциональная зависимость тока стока от падающего потока излучения, а также выполнен расчет основных характеристик устройства. Осуществлено моделирование процесса освещения структуры потоком излучения заданной частоты. Графически отражены изменения некоторых оптических параметров прибора. Итогом проведения работ стало создание рабочей математической модели для оценки оптических свойств МДП-фототранзистора с различной структурой. Разработана подробная методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль ИК-датчика.
|
|
Ключевые слова
|
оптоэлектроника, фотоприемник, поглощение излучения, фототранзистор, многослойная структура, математическая модель, методика проектирования
|
 |
Скачать статью в формате PDF
|
| Список литературы |
1. Ермуратский П., Лычкина Г. Электротехника и электроника. М. : ДМК, 2015. 416 c.
2. Кузнецов А. В., Палагута К. А. Аналоговая и цифровая электроника. М. : МГИУ, 2010. 264 c.
3. Немцов М. В. Электротехника и электроника. М. : Высш. шк., 2007. 560 c.
4. Иванов В. И., Аксенов А. И., Юшин А. М. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы : справочник. М. : Энергоатомиздат, 1989. 448 c.
5. Овсюк В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда : монография. М. : Наука, 1984. 256 с.
6. Борисенко В. Е. Наноэлектроника. М. : Бином. Лаборатория знаний, 2009. 223 c.
7. Галкин В. И. Промышленная электроника и микроэлектроника. М. : Высш. шк., 2006. 350 c.
8. Игнатов А. Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. М. : Эко-Трендз, 2006. 272 c.
|
