ТЕМПЕРАТУРНАЯ КОМПЕНСАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
С НЕЛИНЕЙНОЙ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТЬЮ ХАРАКТЕРИСТИК

Волков Вадим Сергеевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра приборостроения,
Пензенский государственный университет, distorsion@rambler.ru
Баринов Илья Николаевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра информационно-измерительной техники, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru
Евдокимов Сергей Павлович, соискатель, Пензенский государственный университет
mzungu@inbox.ru

 621.3.032

Описано использование терморезисторов для компенсации температурной погрешности высокотемпературных тензорезистивных датчиков. Проанализированы результаты моделирования схемы температурной компенсации, содержащей терморезистор с положительным ТКС. Предложена математическая модель для определения характеристик терморезистора.

Ключевые слова

высокотемпературный тензорезистивный датчик, температурный коэффициент сопротивления, нелинейная температурная зависимость.

 Скачать статью в формате PDF

1. Ваганов, В. И. Интегральные тензопреобразователи / В. И. Ваганов. – М. : Энергоатомиздат, 1983. – 136 с.
2. Мокров, Е. А. Полупроводниковые пьезочувствительные элементы микроэлектронных датчиков давлений. Основы проектирования и разработки : учеб. пособие / Е. А. Мокров, И. Н. Баринов, П. Н. Цибизов. – Пенза : Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2009. – 104 с.
3. Гридчин, В. А. Физика микросистем : учеб. пособие : в 2 ч. / В. А. Гридчин, В. П. Драгунов. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2004. – Ч. 1. – 416 с.
4. Соколов, Л. В. Высокостабильные высокотемпературные микроэлектромеханические 
преобразователи нового поколения на основе гетероструктуры кремний-на-изоляторе /Л. В. Соколов // Измерительная техника. – 2009. – № 9. – С. 18–20.
5. Баринов, И. Н. Конструктивно-технологические решения по созданию высокотемпературных датчиков абсолютного давления на структуре «поликремний–диэлектрик» с улучшенными метрологическими характеристиками / И. Н. Баринов, А. В. Федулов, В. С. Волков // Датчики и системы. – 2012. – № 10. – С. 2–6.
6. Баринов, И. Н. Обеспечение долговременной стабильности параметров высокотемпературных полупроводниковых тензорезистивных датчиков абсолютного давления /И. Н. Баринов, В. С. Волков // Приборы. – 2012. – № 9. – С. 29–35.
7. Волков, В. С. Компенсация температурной погрешности чувствительности высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления / В. С. Волков, И. Н. Баринов // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. – 2013. – № 1 (3). – С. 30–36.
8. Волков, В. С. Использование информационных технологий для разработки диагностического обеспечения электронных устройств / В. С. Волков, В. П. Фандеев, И. Н. Баринов // Технологии приборостроения. – 2006. – № 4. – С. 21–23.
9. Волков, В. С. Использование системы Simulink при имитационном моделировании высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления / В. С. Волков, И. Н. Баринов // Приборы. – 2011. – № 7. – С. 50–55.