Авторы |
Баринов Илья Николаевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра информационно-измерительной техники, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru
Волков Вадим Сергеевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра приборостроения,
Пензенский государственный университет, distorsion@rambler.ru
Евдокимов Сергей Павлович, соискатель, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru
Кудрявцева Дарья Александровна, соискатель, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru
|
Ключевые слова
|
высокотемпературный датчик давления, временная стабильность параметров, дефекты полупроводника, КНД-структура, высокоомный кремний
|
Список литературы |
1. Новицкий, П. В. Оценка погрешностей результатов измерений / П. В. Новицкий, И. А. Зограф. – 2-е изд., перераб. и доп. – Л. : Энергоатомиздат, Ленингр. отд-е, 1991. – 304 с.
2. Горлов, М. И. Геронтология кремниевых интегральных схем / М. И. Горлов, В. А. Емельянов, А. В. Строгонов. – М. : Наука, 2004. – 240 с.
3. Баринов, И. Н. Повышение долговременной стабильности высокотемпературных полупроводни-ковых датчиков давлений / И. Н. Баринов, В. С. Волков // Приборы. – 2010. – № 3. – С. 9–15.
4. Концевой, Ю. А. Дефекты кремниевых структур и приборов. Ч. 2. Основные технологические операции / Ю. А. Концевой, Д. К. Филатов // Электронная техника : справочные материалы. – М., 1987. – 205 с.
5. Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике / А. Л. Асеев, В. П. Попов, В. П. Володин, В. Н. Марютин //Микросистемная техника. – 2002. – № 9. – С. 40–46.
6. Bao, M. H. Analysis and design of a four-terminal silicon pressure sensor at the center of diaphragm / M. H. Bao, Y. Wang // Sensors and actuators: A. – 1987. – Vol. 12. – P. 49–56.
7. Kanda, Y. Optimum design considerations for silicon pressure sensor using a four-terminal gauge / Y. Kanda // Sensors and actuators. – 1983. – Vol. 4. – P. 199–206.
8. URL: http://prokopep.narod.ru
9. ГОСТ 19658–81. Кремний монокристаллический в слитках.
10. URL: www.soitec.com
11. Баринов, И. Н. Оптимизация параметров полупроводниковых чувствительных элементов датчиков абсолютного давления / И. Н. Баринов // Приборы. – 2009. – № 4. – С. 47–51.
12. Баринов, И. Н. Конструктивно-технологические решения полупроводниковых преобразователей давлений на основе структуры «кремний-на-диэлектрике» / И. Н. Баринов // Технологии приборостроения. – 2006. – № 4. – С. 28–33.
13. Баринов, И. Н. Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры «кремний-на-диэлектрике» : дис. … канд. техн. наук : 05.11.14 / Баринов И. Н. – Пенза, 2005. – 212 с.
14. Баринов, И. Н. Высокотемпературные полупроводниковые датчики давления с повышенной временной стабильностью / И. Н. Баринов, В. С. Волков // Приборы и системы.Управление, контроль, диагностика. – 2011. – № 8. – С. 51–55.
15. Волков, В. С. Автоматизация разработки диагностического обеспечения интеллектуальных полупроводниковых датчиков давления / В. С. Волков, И. Н. Баринов // Приборы. – 2009. – № 12. – С. 20–25.
|