Статья 2113

Название статья

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ МЕЗА-ТИПА
В ДАТЧИКАХ ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И КОНТРОЛЯ

Авторы

Баринов Илья Николаевич, кандидат технических наук, начальник отдела, Научно-исследовательский институт физических измерений, mzungu@inbox.ru
Волков Вадим Сергеевич, кандидат технических наук, старший научный сотрудник, Научно-исследовательский институт физических измерений, distorsion@rambler.ru

Индекс УДК

621.3.032

Аннотация

Рассмотрено применение поликремниевых тензорезисторов мезатипа для создания датчиков давления. Предложена конструкция чувствительного элемента, позволяющая улучшить характеристики датчиков давления.

Ключевые слова

 датчик давления, тензорезистор, поликристаллический кремний, мезаструктура.

 Скачать статью в формате PDF

Список литературы

1. Гридчин, В. А. Проектирование кремниевых интегральных тензопреобразователей с квадратными упругими элементами / В. А. Гридчин // Сборник научных трудов НЭТИ. – Новосибирск, 1985. – С. 97.
2. Баринов, И. Н. Применение поликристаллического алмаза в качестве чувствительного элемента / И. Н. Баринов, В. Ю. Дарвин // Отраслевые аспекты технических наук. – 2012. – № 5. – С. 21–23.
3. Любимский, В. М. Особенности деформации резистора в виде мезастpуктуpы / В. М. Любимский // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 2. – C. 47–53.
4. Исследование конструктивно-технологических решений для создания высокостабильных и высокотемпературных датчиков давления : отчет о НИР / В. М. Любимский, В. А. Гридчин, А. В. Шапорин, В. А. Колчужин, А. В. Гридчин, О. В. Лобач, А. П. Лисофенко, В. П. Юрьев, Н. А. Усова ; Новосиб. гос. техн. ун-т ; рук. В. А. Гридчин. – Новосибирск, 2006. − 106 с.
5. Сергеев, В. С. Напряжения и деформации в элементах микросхем / В. С. Сергеев, О. А. Кузнецов, Н. П. Захаров, В. А. Летагин. – М. : Радио и связь, 1987. – 88 с.
6. Концевой, Ю. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю.А.Концевой, Ю. М. Литвинов, Э. А. Фаттахов. – М. : Радио и связь, 1982. – 240 с.
7. Палатник, Л. С. Материаловедение в микроэлектронике / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин. – М. : Энергия, 1978. – 280 с.
8. Пат. 2310176 Российская Федерация. Полупроводниковый преобразователь давления / Баринов И.Н., Козин С. А., Цибизов П. Н.

 

Дата создания: 29.01.2015 10:18
Дата обновления: 30.01.2015 08:26