ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ СИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ
И КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ АКТИВНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ И ИЗДЕЛИЙ НА ИХ ОСНОВЕ 

Печерская Екатерина Анатольевна, доктор технических наук, доцент, профессор, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, pea1@list.ru
Гладков Илья Михайлович, аспирант, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, micro@pnzgu.ru
Печерская Римма Михайловна, доктор технических наук, профессор, декан, факультет электроэнергетики, нанотехнологий и радиоэлектроники, Пензенский государственный университет
fenr@pnzgu.ru
Метальников Алексей Михайлович, кандидат технических наук, доцент, кафедра нано- и микроэлектроники, Пензенский государственный университет, micro@pnzgu.ru

 621.3.088.23

Рассмотрена структура интеллектуальной системы измерения и контроля параметров активных диэлектриков и изделий на их основе, которая позволяет производить автоматизированные измерения диэлектрических параметров в зависимости от напряженности электрического поля и температуры, а также осуществлять контроль временной нестабильности остаточной поляризованности.

Ключевые слова

интеллектуальная система, активный диэлектрик, методика измерения, временная нестабильность.

 Скачать статью в формате PDF

1. Воротилов, К. А. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы / К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника. – 2008. № 10. С. 30–42.
2. Печерская, Е. А. Структура интеллектуальной системы поддержки исследований параметров cегнетоэлектрических материалов / Е. А. Печерская, А. В. Бобошко, А. М. Ме-тальников // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – № 6. – C. 21–24.
3. Барфут, Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений : пер. с англ. / Дж. Барфут. – М. : Мир, 1970. – 352 с.
4. Печерская, Е. А. Применение метода Сойера–Тауэра и его модификаций для измерения электрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская // Измерительная техника. – 2007. – № 10. – С. 54–58.
5. Печерская, Е. А. Применение методологии функционального и метрологического анализа к качеству исследования материалов микро- и наноэлектроники / Е. А. Печерская // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : сб. ст. VI Между-нар. науч.-техн. конф. (г. Москва, 23–27 октября 2007 г.). – М. : МИРЭА, 2007. – Ч. 2. – С. 94–98.
6. Печерская, Е. А. Метрологические аспекты исследования активных диэлектриков для микро- и наноиндустрии / Е. А. Печерская // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 7. – С. 41–44.
7. Печерская, Е. А. Методы исследования температурных зависимостейдиэлектрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская, В. А. Соловьев, А. М. Метальников, А. В. Бобошко // Известия вузов. Электроника. Москва, МИЭТ. – 2012. – № 2 (94). – С. 77–81.
8. Леманов, В. В. Поле деполяризации и усталость сегнетоэлектрических тонких пленок / В.В.Леманов, В. К. Ярмаркин // Физика твердого тела. – 1998. – Т. 38, вып. 8. – С. 1282–1492.
9. Сидоркин, А. С. Усталость тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца с различными значениями коэрцитивного и внутреннего полей / А. С. Сидоркин,
Л. П. Нестеренко, Б. М. Даринский, А. А. Сидоркин, Г. Г. Булавина, Е. В. Ионова ; Воронеж. гос. ун-т // Известия РАН. Сер. физическая. – Т. 74, № 9. – 2010. – С. 1367–1369.
10. Тиллес, В. Ф. Исследование нелинейности поляризации в пленках ЦТС методом гармонического анализа / В. Ф. Тиллес, Р. М. Печерская, А. М. Метальников // Известия Российской академии наук. Сер. физическая. – Т. 67, № 8. – 2003. – С. 1206–1209.